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NTMFS4839N
1000
30
V DS = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
25
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
1
t d(off)
t f
t r
t d(on)
20
15
10
5
0
1
10
100
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
T C = 25 ° C
1000
V GS = 20 V
Single Pulse
100
10
1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
0.1
0.1 1
10
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
dc
100
200
190
180
170
160
150
140
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
I D = 19 A
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
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